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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPP70N10L
SPP70N10L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPP70N10L - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPP70N10L
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPP70N10L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
SP(I,P,B)70N10L.pdf
In magazzino: 4100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPP70N10L
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPP70N10L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPP70N10L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4540 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPP70N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPP70N10L

Proprietà del prodotto SPP70N10L SPP73N03S2L-08 SPP77N06S2-12 SPP5413T252RG
Modello di prodotti SPP70N10L SPP73N03S2L-08 SPP77N06S2-12 SPP5413T252RG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies SYNCPOWER
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 73A (Tc) 80A (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4540 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V 2350 pF @ 25 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 30 V 55 V -
Numero di prodotto di base SPP70N - SPP77N -
Serie SIPMOS® OptiMOS® OptiMOS™ -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 2mA 2V @ 55µA 4V @ 93µA -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 107W (Tc) 158W (Tc) -
Pacchetto Tube Bulk Tube -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 -
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V 8.4mOhm @ 36A, 10V 12mOhm @ 38A, 10V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 46.2 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

SPP70N10L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPP70N10L PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPP70N10L - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
SP(I,P,B)70N10L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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