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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPD50P03LGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPD50P03LGBTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPD50P03LGBTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Scheda dati
SPD50P03LGBTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38662

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPD50P03LGBTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPD50P03  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPD50P03LGBTMA1

Proprietà del prodotto SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L-06G SPD50N03S2L06T SPD50P03L
Modello di prodotti SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L-06G SPD50N03S2L06T SPD50P03L
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-5 - PG-TO252-3-11 PG-TO252-5-3
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V - 2530 pF @ 25 V 6880 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SPD50P03 - SPD50N SPD50P
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - 2V @ 85µA 2V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel - N-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V - 68 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V - 6.4mOhm @ 50A, 10V 7mOhm @ 50A, 10V
Serie OptiMOS™ * OptiMOS™ OptiMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) - 50A (Tc) 50A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) - 136W (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 30 V

SPD50P03LGBTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPD50P03LGBTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Packaging PCN
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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