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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPD18P06PG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPD18P06PG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPD18P06PG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPD18P06PG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
SPD18P06PG.pdf
In magazzino: 3630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPD18P06PG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPD18P06PG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPD18P06PG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPD18P06PG

Proprietà del prodotto SPD18P06PG SPD18P06P SPD25N06S2-40 SPD22N08S2L-50
Modello di prodotti SPD18P06PG SPD18P06P SPD25N06S2-40 SPD22N08S2L-50
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) - 60 V 55 V 75 V
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 860 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs - 130mOhm @ 13.2A, 10V 40mOhm @ 13A, 10V 50mOhm @ 11A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 33 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 18.6A (Tc) 29A (Tc) 25A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) - 80W (Tc) 68W (Tc) 75W (Tc)
Contenitore / involucro - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 1mA 4V @ 26µA 2V @ 31µA
Tipo montaggio - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Tipo FET - P-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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