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SPD08P06P - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPD08P06P
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPD08P06P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SPD08P06P.pdf
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPD08P06P
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPD08P06P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPD08P06P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.83A (Ta)  
Numero di prodotto di base SPD08P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPD08P06P

Proprietà del prodotto SPD08P06P SPD08N50C3 SPD08N05L SPD09P06PL
Modello di prodotti SPD08P06P SPD08N50C3 SPD08N05L SPD09P06PL
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 83W (Tc) - 42W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V - 250mOhm @ 6.8A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie SIPMOS® CoolMOS™ * SIPMOS®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V - 450 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 - PG-TO252-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.83A (Ta) 7.6A (Tc) - 9.7A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.9V @ 350µA - 2V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V - 21 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel N-Channel - P-Channel
Numero di prodotto di base SPD08P - - SPD09P
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 500 V - 60 V

SPD08P06P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPD08P06P PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPD08P06P - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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