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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPD04P10PG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPD04P10PG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPD04P10PG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPD04P10PG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SPD04P10 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SPD04P10PG.pdf
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SPD04P10PG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPD04P10PG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPD04P10PG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 380µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 2.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 319 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPD04P10PG

Proprietà del prodotto SPD04P10PG SPD04N60S5 SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1
Modello di prodotti SPD04P10PG SPD04N60S5 SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 600 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 22.9 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 2.8A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 1Ohm @ 2.8A, 10V 850mOhm @ 3A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SIPMOS® CoolMOS™ SIPMOS® SIPMOS®
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 380µA 5.5V @ 200µA 4V @ 380µA 2V @ 380µA
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 4.5A (Tc) 4A (Tc) 4.2A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 319 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 319 pF @ 25 V 372 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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