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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPB80P06PGATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPB80P06PGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPB80P06PGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPB80P06PGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SPB80P06PGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9623

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPB80P06PGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPB80P06PGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPB80P06PGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 340W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5033 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 173 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPB80P06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1

Proprietà del prodotto SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P SPB80N08S2L-07 SPB80N08S2-07
Modello di prodotti SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P SPB80N08S2L-07 SPB80N08S2-07
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5033 pF @ 25 V 5033 pF @ 25 V 6820 pF @ 25 V 6130 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V 23mOhm @ 64A, 10V 6.8mOhm @ 67A, 10V 7.1mOhm @ 66A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 340W (Tc) 340W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Numero di prodotto di base SPB80P06 SPB80P SPB80N SPB80N
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5.5mA 4V @ 5.5mA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 173 nC @ 10 V 173 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 75 V 75 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie SIPMOS® SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB80P06PGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPB80P06PGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPB80P06PGATMA1 - Infineon Technologies.

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