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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPB77N06S2-12
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPB77N06S2-12 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPB77N06S2-12
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPB77N06S2-12
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SPP,SPB77N06S2-12.pdf
In magazzino: 3730

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SPB77N06S2-12
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPB77N06S2-12, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPB77N06S2-12

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 93µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPB77N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPB77N06S2-12

Proprietà del prodotto SPB77N06S2-12 SPB80N03S2L-03 SPB73N03S2L-08 SPB47N10L
Modello di prodotti SPB77N06S2-12 SPB80N03S2L-03 SPB73N03S2L-08 SPB47N10L
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 73A (Tc) 47A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ SIPMOS®
Numero di prodotto di base SPB77N SPB80N SPB73N SPB47N
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V 8180 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 38A, 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V 8.1mOhm @ 36A, 10V 26mOhm @ 33A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 46.2 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 30 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 93µA 2V @ 250µA 2V @ 55µA 2V @ 2mA
Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 175W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2

SPB77N06S2-12 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPB77N06S2-12 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPB77N06S2-12 - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
SPP,SPB77N06S2-12.pdf

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