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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPB18P06P
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SPB18P06P - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPB18P06P
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPB18P06P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SPB18P06P.pdf
In magazzino: 4130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPB18P06P
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPB18P06P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPB18P06P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 81.1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base SPB18P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPB18P06P

Proprietà del prodotto SPB18P06P SPB17N80C3ATMA1 SPB18P06PG SPB16N50C3
Modello di prodotti SPB18P06P SPB17N80C3ATMA1 SPB18P06PG SPB16N50C3
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Dissipazione di potenza (max) 81.1W (Ta) 227W (Tc) - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 - -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 800 V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18.7A (Ta) 17A (Tc) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 177 nC @ 10 V - -
Tipo FET P-Channel N-Channel - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Bulk
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 3.9V @ 1mA - -
Serie SIPMOS® CoolMOS™ - *
Numero di prodotto di base SPB18P SPB17N80 - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -

SPB18P06P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPB18P06P PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPB18P06P - Infineon Technologies.

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Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf

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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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