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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPA08N80C3XKSA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPA08N80C3XKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPA08N80C3XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPA08N80C3XKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
SPA08N80C3XKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25191

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPA08N80C3XKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 470µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPA08N80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1

Proprietà del prodotto SPA08N80C3XKSA1 SPA08N50C3 SPA11N60C3 SPA07N60C2
Modello di prodotti SPA08N80C3XKSA1 SPA08N50C3 SPA11N60C3 SPA07N60C2
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 750 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 970 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-31
Numero di prodotto di base SPA08N80 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 560 V 600 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 380mOhm @ 7A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 32W (Tc) 33W (Tc) 32W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 470µA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 500µA 5.5V @ 350µA
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 7.6A (Tc) 11A (Tc) 7.3A (Tc)

SPA08N80C3XKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPA08N80C3XKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPA08N80C3XKSA1 - Infineon Technologies.

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