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Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SDT08S60 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SDT08S60
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SDT08S60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
SDT08S60.pdf
In magazzino: 3810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SDT08S60
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SDT08S60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SDT08S60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 8 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 300 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A  
Capacità a Vr, F 280pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SDT08S  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SDT08S60

Proprietà del prodotto SDT08S60 SDT06S60 SDT04S60 SDT10A100CT
Modello di prodotti SDT08S60 SDT06S60 SDT04S60 SDT10A100CT
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Diodes Incorporated
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V 100 V
Corrente - Dispersione inversa a Vr 300 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 50 µA @ 100 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 TO-220-3
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 6 A 1.9 V @ 4 A 660 mV @ 5 A
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base SDT08S SDT06S SDT04S SDT10
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Capacità a Vr, F 280pF @ 0V, 1MHz 300pF @ 0V, 1MHz 150pF @ 0V, 1MHz -
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-3
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A 6A 4A -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky

SDT08S60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SDT08S60 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SDT08S60 - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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