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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2117PBF
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IRS2117PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2117PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2117PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IRS211 (7,71,8) (S) PbF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12787

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2117PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2117PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2117PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 75ns, 35ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IRS2117  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2117PBF

Proprietà del prodotto IRS2117PBF IRS2117STRPBF IRS2118PBF IRS2117SPBF
Modello di prodotti IRS2117PBF IRS2117STRPBF IRS2118PBF IRS2117SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Frequenza di ingresso 1 1 1 1
Tempo di salita / scadenza (Typ) 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Serie - - - -
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Numero di prodotto di base IRS2117 IRS2117 IRS2118 IRS2117
Configurazione guidata High-Side High-Side High-Side High-Side
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRS2117PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2117PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2117PBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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