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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2112PBF
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IRS2112PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2112PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2112PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
IRS2112(-1,-2,S)PbF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2112PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2112PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2112PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 75ns, 35ns  
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IRS2112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2112PBF

Proprietà del prodotto IRS2112PBF IRS2113SPBF IRS2113PBF IRS21171SPBF
Modello di prodotti IRS2112PBF IRS2113SPBF IRS2113PBF IRS21171SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base IRS2112 IRS2113 IRS2113 IRS21171
Serie - - - -
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Single
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP 16-SOIC 14-DIP 8-SOIC
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge High-Side
Frequenza di ingresso 2 2 2 1
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 2.5A, 2.5A 2.5A, 2.5A 290mA, 600mA
Tempo di salita / scadenza (Typ) 75ns, 35ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns 75ns, 35ns
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IRS2112PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2112PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2112PBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
IRS2112(-1,-2,S)PbF.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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