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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRS2001MPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2001MPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2001MPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-VFQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRS2001MPBF.pdf
In magazzino: 15930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2001MPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2001MPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2001MPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-MLPQ (4x4)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 35ns  
Contenitore / involucro 16-VFQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IRS2001  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2001MPBF

Proprietà del prodotto IRS2001MPBF IRS2003SPBF IRS2001PBF IRS2001MTRPBF
Modello di prodotti IRS2001MPBF IRS2003SPBF IRS2001PBF IRS2001MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Numero di prodotto di base IRS2001 IRS2003 IRS2001 IRS2001
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Contenitore / involucro 16-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 16-VFQFN Exposed Pad
Serie - - - -
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns
Contenitore dispositivo fornitore 16-MLPQ (4x4) 8-SOIC 8-PDIP 16-MLPQ (4x4)
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IRS2001MPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2001MPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2001MPBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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