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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLU7833PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLU7833PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLU7833PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLU7833PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRLU7833PBF.pdf
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLU7833PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLU7833PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLU7833PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLU7833PBF

Proprietà del prodotto IRLU7833PBF IRLU3915PBF IRLU8259PBF IRLU8256PBF
Modello di prodotti IRLU7833PBF IRLU3915PBF IRLU8259PBF IRLU8256PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 55 V 25 V 25 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V 1870 pF @ 25 V 900 pF @ 13 V 1470 pF @ 13 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK IPAK (TO-251) I-PAK I-PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 120W (Tc) 48W (Tc) 63W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 8.7mOhm @ 21A, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 30A (Tc) 57A (Tc) 81A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLU7833PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLU7833PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLU7833PBF - Infineon Technologies.

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