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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR8721TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR8721TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR8721TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR8721TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR8721TRPBF

Proprietà del prodotto IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
Modello di prodotti IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 44A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 62W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 1650 pF @ 25 V

IRLR8721TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR8721TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf

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