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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR8256PBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLR8256PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR8256PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR8256PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR8256PBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3860

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR8256PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR8256PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR8256PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 81A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR8256PBF

Proprietà del prodotto IRLR8256PBF IRLR8256TRPBF IRLR8503PBF IRLR8259PBF
Modello di prodotti IRLR8256PBF IRLR8256TRPBF IRLR8503PBF IRLR8259PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 13 V 1470 pF @ 13 V 1650 pF @ 25 V 900 pF @ 13 V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) 63W (Tc) 62W (Tc) 48W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7mOhm @ 25A, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 8.7mOhm @ 21A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 3V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 81A (Tc) 81A (Tc) 44A (Tc) 57A (Tc)

IRLR8256PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR8256PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR8256PBF - Infineon Technologies.

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Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Cambia dello stato della parte PCN
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