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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR7833PBF
IRLR7833PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR7833PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR7833PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR7833PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR7833PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR7833PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR7833PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR7833PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR7833PBF

Proprietà del prodotto IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
Modello di prodotti IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V 4010 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 140A (Tc) 161A (Tc) 161A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V

IRLR7833PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR7833PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR7833PBF - Infineon Technologies.

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