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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR3410TRR
IRLR3410TRR Image
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IRLR3410TRR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR3410TRR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR3410TRR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR3410TRR.pdf
In magazzino: 4130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR3410TRR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR3410TRR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR3410TRR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR3410TRR

Proprietà del prodotto IRLR3410TRR IRLR3705ZPBF IRLR3303TRPBF IRLR3705Z
Modello di prodotti IRLR3410TRR IRLR3705ZPBF IRLR3303TRPBF IRLR3705Z
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 30 V 55 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 42A (Tc) 35A (Tc) 42A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 130W (Tc) 68W (Tc) 130W (Tc)

IRLR3410TRR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR3410TRR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR3410TRR - Infineon Technologies.

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