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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR2705TRL
IRLR2705TRL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR2705TRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR2705TRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR2705TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR/U2705.pdf
In magazzino: 4820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR2705TRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR2705TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR2705TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR2705TRL

Proprietà del prodotto IRLR2705TRL IRLR2703TRLPBF IRLR2703TRPBF IRLR2905PBF
Modello di prodotti IRLR2705TRL IRLR2703TRLPBF IRLR2703TRPBF IRLR2905PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 48 nC @ 5 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 30 V 55 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 42A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

IRLR2705TRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR2705TRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR2705TRL - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRLR/U2705.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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