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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLML2502TR
IRLML2502TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLML2502TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLML2502TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLML2502TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
IRLML2502.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5020

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLML2502TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLML2502TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLML2502TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLML2502TR

Proprietà del prodotto IRLML2502TR IRLML2402TRPBF IRLML2502GTRPBF IRLML2803TR
Modello di prodotti IRLML2502TR IRLML2402TRPBF IRLML2502GTRPBF IRLML2803TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta) 1.2A (Ta) 4.2A (Ta) 1.2A (Ta)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V 110 pF @ 15 V 740 pF @ 15 V 85 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V 45mOhm @ 4.2A, 4.5V 250mOhm @ 910mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.9 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V 5 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLML2502TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLML2502TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLML2502TR - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
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PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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