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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLML2246TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLML2246TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLML2246TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLML2246TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
IRLML2246TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 245120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLML2246TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLML2246TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLML2246TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLML2246  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLML2246TRPBF

Proprietà del prodotto IRLML2246TRPBF IRLML2060TRPBF IRLML2402TRPBF IRLML2402TR
Modello di prodotti IRLML2246TRPBF IRLML2060TRPBF IRLML2402TRPBF IRLML2402TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 2.6A, 4.5V 480mOhm @ 1.2A, 10V 250mOhm @ 930mA, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA 2.5V @ 25µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 60 V 20 V 20 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V 0.67 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±16V ±12V -
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 16 V 64 pF @ 25 V 110 pF @ 15 V 110 pF @ 15 V
Numero di prodotto di base IRLML2246 IRLML2060 IRLML2402 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) 1.2A (Ta) 1.2A (Ta) 1.2A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) 1.25W (Ta) 540mW (Ta) -

IRLML2246TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLML2246TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLML2246TRPBF - Infineon Technologies.

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