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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLHM630TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLHM630TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLHM630TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLHM630TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRLHM630TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLHM630TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLHM630  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLHM630TRPBF

Proprietà del prodotto IRLHM630TRPBF IRLH6224TR2PBF IRLHS6242TR2PBF IRLH6224TRPBF
Modello di prodotti IRLHM630TRPBF IRLH6224TR2PBF IRLHS6242TR2PBF IRLH6224TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V 3710 pF @ 10 V 1110 pF @ 10 V 3710 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (3x3) 8-PQFN (5x6) 6-PQFN (2x2) 8-PQFN (5x6)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) - - 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Numero di prodotto di base IRLHM630 - - IRLH6224
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 50µA 1.1V @ 50µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 50µA
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V - - 2.5V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc) 28A (Ta), 105A (Tc) 10A (Ta), 12A (Tc) 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V 3mOhm @ 20A, 4.5V 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V - - ±12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V

IRLHM630TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLHM630TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLHM630TRPBF - Infineon Technologies.

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