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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3103D1S
IRL3103D1S Image
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IRL3103D1S - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3103D1S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3103D1S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL3103D1S.pdf
In magazzino: 4760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3103D1S
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3103D1S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3103D1S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie FETKY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3103D1S

Proprietà del prodotto IRL3103D1S IRL3103LPBF IRL3103D2S IRL3102S
Modello di prodotti IRL3103D1S IRL3103LPBF IRL3103D2S IRL3102S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 94W (Tc) - 89W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 2500 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie FETKY™ HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 7V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-262 D2PAK D2PAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 54A (Tc) 61A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 58 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA - 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 32A, 10V 13mOhm @ 37A, 7V

IRL3103D1S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3103D1S PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3103D1S - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
IRL3103D1S.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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