Specifiche
Specifiche tecnologiche IRFZ34NS
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFZ34NS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFZ34NS
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Infineon Technologies |
|
| Vgs (th) (max) a Id |
4V @ 250µA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
|
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
D2PAK |
|
| Serie |
HEXFET® |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
40mOhm @ 16A, 10V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
3.8W (Ta), 68W (Tc) |
|
| Contenitore / involucro |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Pacchetto |
Tube |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
700 pF @ 25 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
34 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
55 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
29A (Tc) |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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IRFZ34N MOSIR
IRFZ30PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
IRFZ34NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 29A TO262