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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU9N20D
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU9N20D - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFU9N20D
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU9N20D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFU9N20D.pdf
In magazzino: 4040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU9N20D
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFU9N20D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFU9N20D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFU9N20D

Proprietà del prodotto IRFU9N20D IRFU9310 IRFW530ATM IRFU9220PBF
Modello di prodotti IRFU9N20D IRFU9310 IRFW530ATM IRFU9220PBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 1.8A (Tc) 14A (Tc) 3.6A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 400 V 100 V 200 V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) TO-251AA D2PAK TO-251AA
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc) 50W (Tc) 3.8W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 110mOhm @ 7A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRFU9N20D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU9N20D PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFU9N20D - Infineon Technologies.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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