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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU4615PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU4615PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFU4615PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU4615PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFU4615PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU4615PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFU4615PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFU4615PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU4615  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFU4615PBF

Proprietà del prodotto IRFU4615PBF IRFU5505PBF IRFU5410 IRFU430APBF
Modello di prodotti IRFU4615PBF IRFU5505PBF IRFU5410 IRFU430APBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc) 57W (Tc) 66W (Tc) 110W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 18A (Tc) 13A (Tc) 5A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 55 V 100 V 500 V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 650 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Numero di prodotto di base IRFU4615 IRFU5505 - IRFU430
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRFU4615PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU4615PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFU4615PBF - Infineon Technologies.

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