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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU3910PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU3910PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFU3910PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU3910PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFU3910PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 74900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU3910PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFU3910PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFU3910PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU3910  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFU3910PBF

Proprietà del prodotto IRFU3910PBF IRFU3710Z-701P IRFU4104PBF IRFU4105
Modello di prodotti IRFU3910PBF IRFU3710Z-701P IRFU4104PBF IRFU4105
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 10A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 5.5mOhm @ 42A, 10V 45mOhm @ 16A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 55 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 2930 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IRFU3910 - - -
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 68W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 27A (Tc)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFU3910PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU3910PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFU3910PBF - Infineon Technologies.

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