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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU3706
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU3706 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFU3706
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU3706
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFR3706, IRFU3706.pdf
In magazzino: 4780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU3706
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFU3706, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFU3706

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFU3706

Proprietà del prodotto IRFU3706 IRFU3707ZPBF IRFU3704 IRFU3709
Modello di prodotti IRFU3706 IRFU3707ZPBF IRFU3704 IRFU3709
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) 50W (Tc) 90W (Tc) 120W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V 1150 pF @ 15 V 1996 pF @ 10 V 2672 pF @ 16 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.25V @ 25µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 41 nC @ 4.5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 56A (Tc) 75A (Tc) 90A (Tc)

IRFU3706 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU3706 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFU3706 - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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