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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4010-7PPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4010-7PPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
IRFS4010-7PPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4010-7PPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS4010-7PPBF

Proprietà del prodotto IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
Modello di prodotti IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 43A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 200 V 200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFS4010-7PPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS4010-7PPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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