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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS3207PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS3207PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS3207PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS3207PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS3207PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS3207PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS3207PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS3207PBF

Proprietà del prodotto IRFS3207PBF IRFS3306PBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3206PBF
Modello di prodotti IRFS3207PBF IRFS3306PBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3206PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 60 V 75 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFS3207PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS3207PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS3207PBF - Infineon Technologies.

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