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IRFR9024NPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR9024NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR9024NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR9024NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR9024NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR9024NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR9024NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR9024NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFR9024  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR9024NPBF

Proprietà del prodotto IRFR9024NPBF IRFR9024TR IRFR9024TRPBF IRFR9020PBF
Modello di prodotti IRFR9024NPBF IRFR9024TR IRFR9024TRPBF IRFR9020PBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 6.6A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 280mOhm @ 5.7A, 10V
Serie HEXFET® - - -
Numero di prodotto di base IRFR9024 IRFR9024 IRFR9024 IRFR9020
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 42W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 60 V 60 V 50 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 8.8A (Tc) 8.8A (Tc) 9.9A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFR9024NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR9024NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR9024NPBF - Infineon Technologies.

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