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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR6215TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR6215TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR6215TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR6215TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR6215TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR6215TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR6215TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFR6215  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR6215TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFR6215TRLPBF IRFR7440PBF IRFR5505TRPBF IRFR6215TRR
Modello di prodotti IRFR6215TRLPBF IRFR7440PBF IRFR5505TRPBF IRFR6215TRR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base IRFR6215 - IRFR5505 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 90A (Tc) 18A (Tc) 13A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 40 V 55 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 140W (Tc) 57W (Tc) 110W (Tc)

IRFR6215TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR6215TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR6215TRLPBF - Infineon Technologies.

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