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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR48ZTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR48ZTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR48ZTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR48ZTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 56310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR48ZTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR48ZTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR48ZTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 91W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFR48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR48ZTRLPBF

Proprietà del prodotto IRFR48ZTRLPBF IRFR4620PBF IRFR5305TRLPBF IRFR48ZTRPBF
Modello di prodotti IRFR48ZTRLPBF IRFR4620PBF IRFR5305TRLPBF IRFR48ZTRPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 91W (Tc) 144W (Tc) 110W (Tc) 91W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V 1200 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 11mOhm @ 37A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 200 V 55 V 55 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 50µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 24A (Tc) 31A (Tc) 42A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFR48 - IRFR5305 IRFR48
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-Pak D-Pak

IRFR48ZTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR48ZTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR48ZTRLPBF - Infineon Technologies.

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