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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR2607ZTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR2607ZTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR2607ZTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR2607ZTRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR2607ZTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR2607ZTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR2607ZTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 50µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-901|DPAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 30A, 10V  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFR2607  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR2607ZTRPBF

Proprietà del prodotto IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZPBF IRFR2607Z IRFR310
Modello di prodotti IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZPBF IRFR2607Z IRFR310
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-901|DPAK D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 30A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 400 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 1.7A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 50µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRFR2607 - - IRFR310

IRFR2607ZTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR2607ZTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR2607ZTRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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