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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFR1205PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR1205PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFR1205PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR1205PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR1205PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR1205PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFR1205PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFR1205PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFR1205PBF

Proprietà del prodotto IRFR1205PBF IRFR110TRLPBF IRFR110TRRPBF IRFR120
Modello di prodotti IRFR1205PBF IRFR110TRLPBF IRFR110TRRPBF IRFR120
fabbricante International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 7.7A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 100 V 100 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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