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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP3006PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFP3006PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP3006PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP3006PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15161

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP3006PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFP3006PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFP3006PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP3006  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFP3006PBF

Proprietà del prodotto IRFP3006PBF IRFP31N50L IRFP27N60KPBF IRFP3077PBF
Modello di prodotti IRFP3006PBF IRFP31N50L IRFP27N60KPBF IRFP3077PBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 31A (Tc) 27A (Tc) 120A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFP3006 IRFP31 IRFP27 IRFP3077
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V 180mOhm @ 19A, 10V 220mOhm @ 16A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 460W (Tc) 500W (Tc) 340W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 500 V 600 V 75 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V 5000 pF @ 25 V 4660 pF @ 25 V 9400 pF @ 50 V

IRFP3006PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP3006PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFP3006PBF - Infineon Technologies.

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