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IRFP250MPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFP250MPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP250MPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP250MPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31795

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP250MPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFP250MPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFP250MPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2159 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFP250MPBF

Proprietà del prodotto IRFP250MPBF IRFP240PBF IRFP254NPBF IRFP254B
Modello di prodotti IRFP250MPBF IRFP240PBF IRFP254NPBF IRFP254B
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) 150W (Tc) 220W (Tc) 221W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie HEXFET® - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 18A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 14A, 10V 140mOhm @ 12.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 250 V 250 V
Numero di prodotto di base IRFP250 IRFP240 IRFP254 -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-3P
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2159 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 2040 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 20A (Tc) 23A (Tc) 25A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk

IRFP250MPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP250MPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFP250MPBF - Infineon Technologies.

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