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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFL024NTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFL024NTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFL024NTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRFL024NTRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 121420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFL024NTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFL024NTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFL024NTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFL024  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFL024NTRPBF

Proprietà del prodotto IRFL024NTRPBF IRFL024NTR IRFL024Z IRFL024ZPBF
Modello di prodotti IRFL024NTRPBF IRFL024NTR IRFL024Z IRFL024ZPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta) 2.8A (Ta) 5.1A (Ta) 5.1A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Numero di prodotto di base IRFL024 - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 57.5mOhm @ 3.1A, 10V 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFL024NTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFL024NTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFL024NTRPBF - Infineon Technologies.

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