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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFHM8326TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFHM8326TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFHM8326TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFHM8326TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFHM8326TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 170500

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFHM8326TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFHM8326TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFHM8326TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2496 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFHM8326  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF

Proprietà del prodotto IRFHM8326TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8342TRPBF
Modello di prodotti IRFHM8326TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8342TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) 2.8W (Ta), 34W (Tc) 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta) 16A (Ta) 19A (Ta) 10A (Ta), 28A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFHM8326 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 25 V 25 V 30 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 18 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 16mOhm @ 17A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2496 pF @ 10 V 1040 pF @ 10 V 1667 pF @ 10 V 560 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRFHM8326TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFHM8326TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFHM8326TRPBF - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Packaging PCN
Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
PCN Altro
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023.pdf

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