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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFF9133
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFF9133 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFF9133
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFF9133
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
IRFF9133.pdf
In magazzino: 5110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFF9133
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFF9133, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFF9133

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFF9133

Proprietà del prodotto IRFF9133 IRFF9213 IRFF9131 IRFF9130
Modello di prodotti IRFF9133 IRFF9213 IRFF9131 IRFF9130
fabbricante International Rectifier International Rectifier Harris Corporation Harris Corporation
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - - 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs - - 300mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V
Contenitore / involucro - TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Tipo montaggio - Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) - 15W 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (Max) - - ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore - TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - 500 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
temperatura di esercizio - - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 1.3A (Tc) 6.5A (Tc) 6.5A (Tc)
Tipo FET - N-Channel P-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) - 150 V 80 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id - - 4V @ 250µA 4V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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