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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFB7746PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFB7746PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFB7746PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB7746PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB7746PBF.pdf
In magazzino: 4910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB7746PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFB7746PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFB7746PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.6mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 99W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3049 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFB7746PBF

Proprietà del prodotto IRFB7746PBF IRFB9N60APBF IRFB9N65A IRFB7546PBF
Modello di prodotti IRFB7746PBF IRFB9N60APBF IRFB9N65A IRFB7546PBF
fabbricante International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3049 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.7V @ 100µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 600 V 650 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc) 9.2A (Tc) 8.5A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 99W (Tc) 170W (Tc) 167W (Tc) 99W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 10.6mOhm @ 35A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 930mOhm @ 5.1A, 10V 7.3mOhm @ 45A, 10V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Serie StrongIRFET™ - - HEXFET®, StrongIRFET™

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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