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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFB7430PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFB7430PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB7430PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 40V 195A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB7430PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24235

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB7430PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFB7430PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFB7430PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFB7430  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFB7430PBF

Proprietà del prodotto IRFB7430PBF IRFB7440PBF IRFB7434PBF IRFB61N15DPBF
Modello di prodotti IRFB7430PBF IRFB7440PBF IRFB7434PBF IRFB61N15DPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Numero di prodotto di base IRFB7430 IRFB7440 IRFB7434 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 3470 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 143W (Tc) 294W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc) 60A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 150 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFB7430PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFB7430PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFB7430PBF - Infineon Technologies.

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