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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFB4410ZPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFB4410ZPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFB4410ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB4410ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB4410ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB4410ZPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFB4410ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFB4410ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFB4410  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFB4410ZPBF

Proprietà del prodotto IRFB4410ZPBF IRFB4410ZGPBF IRFB4410 IRFB4510PBF
Modello di prodotti IRFB4410ZPBF IRFB4410ZGPBF IRFB4410 IRFB4510PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc) 97A (Tc) 96A (Tc) 62A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base IRFB4410 - - IRFB4510
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V 3180 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube

IRFB4410ZPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFB4410ZPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFB4410ZPBF - Infineon Technologies.

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