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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFB3607GPBF
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IRFB3607GPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFB3607GPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB3607GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB3607GPBF.pdf
In magazzino: 3640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB3607GPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFB3607GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFB3607GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFB3607GPBF

Proprietà del prodotto IRFB3607GPBF IRFB4019PBF IRFB3507PBF IRFB33N15DPBF
Modello di prodotti IRFB3607GPBF IRFB4019PBF IRFB3507PBF IRFB33N15DPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V 95mOhm @ 10A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V 56mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 80W (Tc) 190W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 150 V 75 V 150 V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 17A (Tc) 97A (Tc) 33A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 800 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V 2020 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4.9V @ 50µA 4V @ 100µA 5.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -

IRFB3607GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFB3607GPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFB3607GPBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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