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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFB3306GPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFB3306GPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB3306GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB3306GPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 52620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB3306GPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFB3306GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFB3306GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFB3306  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFB3306GPBF

Proprietà del prodotto IRFB3306GPBF IRFB3307 IRFB3306PBF IRFB3307PBF
Modello di prodotti IRFB3306GPBF IRFB3307 IRFB3306PBF IRFB3307PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 75 V 60 V 75 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 250W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 130A (Tc) 120A (Tc) 130A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRFB3306 - IRFB3306 IRFB3307
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFB3306GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFB3306GPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFB3306GPBF - Infineon Technologies.

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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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