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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFB3206PBF
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFB3206PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFB3206PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFB3206PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFB3206PBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 44300

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFB3206PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFB3206PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFB3206PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFB3206  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFB3206PBF

Proprietà del prodotto IRFB3206PBF IRFB3207ZGPBF IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF
Modello di prodotti IRFB3206PBF IRFB3207ZGPBF IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRFB3206 - - IRFB3206
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 31A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 300W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 75 V 200 V 60 V

IRFB3206PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFB3206PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFB3206PBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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