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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF9317TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF9317TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF9317TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF9317TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF9317TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72970

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF9317TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF9317TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF9317TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.6mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRF9317  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF9317TRPBF

Proprietà del prodotto IRF9317TRPBF IRF9310TRPBF IRF9321TRPBF IRF9240
Modello di prodotti IRF9317TRPBF IRF9310TRPBF IRF9321TRPBF IRF9240
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-204AA, TO-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 15 V 5250 pF @ 15 V 2590 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 20A (Tc) 15A (Ta) 11A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 6.6mOhm @ 16A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 580mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 125W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 50µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 50µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Numero di prodotto di base IRF9317 IRF9310 IRF9321 -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO TO-204AA (TO-3)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRF9317TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF9317TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF9317TRPBF - Infineon Technologies.

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