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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF8513TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF8513TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF8513TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF8513TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF8513TRPBF.pdf
In magazzino: 4000

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF8513TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF8513TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF8513TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V  
Potenza - Max 1.5W, 2.4W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 11A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF8513  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF8513TRPBF

Proprietà del prodotto IRF8513TRPBF IRF8513PBF IRF840SPBF IRF8707GPBF F8707G
Modello di prodotti IRF8513TRPBF IRF8513PBF IRF840SPBF IRF8707GPBF F8707G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix IR
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V 766pF @ 15V 1300 pF @ 25 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 11A 8A, 11A 8A (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 500 V -
Potenza - Max 1.5W, 2.4W 1.5W, 2.4W - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 63 nC @ 10 V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Numero di prodotto di base IRF8513 IRF8513 IRF840 -
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA -
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V 15.5mOhm @ 8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263) -
Serie HEXFET® - - -

IRF8513TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF8513TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF8513TRPBF - Infineon Technologies.

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