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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF8327STRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF8327STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF8327STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF8327STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SQ
Scheda dati
IRF8327STRPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5220

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF8327STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF8327STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF8327STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SQ  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF8327  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF8327STRPBF

Proprietà del prodotto IRF8327STRPBF IRF830STRLPBF IRF840 IRF840A
Modello di prodotti IRF8327STRPBF IRF830STRLPBF IRF840 IRF840A
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Motorola Vishay Siliconix
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 500 V 500 V 500 V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 38 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SQ D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc)
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V 610 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1018 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IRF8327 IRF830 - IRF840
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 74W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

IRF8327STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF8327STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF8327STRPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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