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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF8010SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF8010SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF8010SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF8010SPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF8010SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF8010SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF8010SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 260W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF8010SPBF

Proprietà del prodotto IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
Modello di prodotti IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK 8-SO DIRECTFET™ MX TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 17.2A (Ta) 90A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 30 V 40 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 36 nC @ 4.5 V 212 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 2910 pF @ 15 V 6852 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric MX TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Dissipazione di potenza (max) 260W (Tc) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 260W (Tc)

IRF8010SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF8010SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF8010SPBF - Infineon Technologies.

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